ASGEIR

ADVANCED SUBSTRATE FOR GALLIUM NITRIDE EPITAXY INDUSTRIALIZATION

Le projet de recherche ASGEIR vise à développer un substrat compliant à base de Silicium pour faciliter la croissance cristalline des matériaux nitrures (GaN et ses alliages). La maitrise du rendement et des coûts impactera la production industrielle de transistors de puissance et de diodes électroluminescentes pour l’éclairage.

Information importante

Usurpation du nom de notre société

Notre société a été informée que des appels téléphoniques automatisés seraient effectués par des tiers en utilisant abusivement son nom de marque.

Nous précisons que ces appels ne sont ni émis, ni commandités, ni autorisés par Capenergies. Nous n’en sommes donc pas à l’origine et déclinons toute responsabilité concernant ces démarchages.

Ces agissements constituent une utilisation frauduleuse de notre nom, réalisée sans notre accord. 

Nous invitons les personnes concernées à ne communiquer aucune information personnelle et à signaler les appels indésirables auprès des plateformes compétentes.

Nous remercions les personnes concernées de leur compréhension.