ADVANCED SUBSTRATE FOR GALLIUM NITRIDE EPITAXY INDUSTRIALIZATION
Le projet de recherche ASGEIR vise à développer un substrat compliant à base de Silicium pour faciliter la croissance cristalline des matériaux nitrures (GaN et ses alliages). La maitrise du rendement et des coûts impactera la production industrielle de transistors de puissance et de diodes électroluminescentes pour l’éclairage.