NOUVEAU TRANSISTOR À CANAL ALGAN POUR DES APPLICATIONS HAUTE TENSION
Le projet ACTION a pour objectifs d’explorer et de développer une nouvelle classe de transistors utilisant un canal AlGaN à ultralarge bande interdite.
Ces transistors AlGaN doivent permettre d’établir les bases d’une future génération de composants de puissance, offrant une plus haute tenue en tension et une stabilité en température supérieure aux limites des transistors à base de GaN, venant ainsi concurrencer les domaines d’applications du SiC.
Grâce à des rendements accrus sur des gammes de tension supérieures à 1200V, inaccessibles actuellement aux transistors GaN-sur-Silicium, ces composants vont permettre de réduire les pertes qui se produisent lors des multiples transformations de l’énergie électrique depuis sa production jusqu’à nos usages quotidiens.