NOUVELLE APPROCHE ÉPITAXIALE POUR DES COMPOSANTS DE PUISSANCE GAN SUR SILICIUM PLUS PERFORMANTS ET PLUS ROBUSTES
Le projet vise à développer de nouvelles structures épitaxiées (processus de croissance cristalline couche par couche) à base de Nitrure de Gallium (GaN) sur substrat Silicium pour démontrer la faisabilité d’un transistor de puissance capable de supporter des tensions supérieures à 1200 V.
Le projet répond à un objectif d’amélioration des performances (par exemple réduction du temps de recharge des véhicules électriques) et de réduction du coût des composants électroniques de puissance.