AVALGAN

  • CRHEA CENTRE DE RECHERCHE SUR L'HÉTÉRO-EPITAXIE ET SES APPLICATIONS (06)
  • Gérer l’énergie, Projet financé

NOUVELLE APPROCHE ÉPITAXIALE POUR DES COMPOSANTS DE PUISSANCE GAN SUR SILICIUM PLUS PERFORMANTS ET PLUS ROBUSTES

Le projet vise à développer de nouvelles structures épitaxiées (processus de croissance cristalline couche par couche) à base de Nitrure de Gallium (GaN) sur substrat Silicium pour démontrer la faisabilité d’un transistor de puissance capable de supporter des tensions supérieures à 1200 V.
Le projet répond à un objectif d’amélioration des performances (par exemple réduction du temps de recharge des véhicules électriques) et de réduction du coût des composants électroniques de puissance.

EN SAVOIR +

Information importante

Usurpation du nom de notre société

Notre société a été informée que des appels téléphoniques automatisés seraient effectués par des tiers en utilisant abusivement son nom de marque.

Nous précisons que ces appels ne sont ni émis, ni commandités, ni autorisés par Capenergies. Nous n’en sommes donc pas à l’origine et déclinons toute responsabilité concernant ces démarchages.

Ces agissements constituent une utilisation frauduleuse de notre nom, réalisée sans notre accord. 

Nous invitons les personnes concernées à ne communiquer aucune information personnelle et à signaler les appels indésirables auprès des plateformes compétentes.

Nous remercions les personnes concernées de leur compréhension.