Nouveaux composants de puissance basés sur le nitrure d’Aluminium (AlN)
Le projet vise à développer une nouvelle famille de composants électroniques de puissance en utilisant le nitrure d’Aluminium (AlN), un semi-conducteur à large bande interdite robuste autorisant une température de fonctionnement élevée. Une technologie simple basée sur une hétéro-structure ultime (AlN/GaN/AlN) sera utilisée pour produire des courants de fuites plus faibles, des tensions de claquage plus élevées avec une efficacité renforcée grâce à une meilleure conductivité thermique.