ELEGANT

EPITAXIE LOCALISÉE POUR TRANSISTOR NITRURE DE GALLIUM (GAN) VERTICAL

Le projet ÉLÉGANT vise au développement des composants de puissance verticaux en GaN (Nitrure de Gallium) sur Silicium pour l’amélioration de l’efficacité énergétique de convertisseurs de puissance sous tension élevée, notamment pour la traction électrique et les énergies renouvelables.
Pour réduire les pertes de conversion, il s’agit de développer des procédés d’épitaxie localisée de GaN (en place de la croissance planaire habituelle) afin de limiter les contraintes thermoélastiques. Et parce qu’il est fabriqué sur Silicium, ce nouveau type de composant est également moins coûteux.