ELEGANT

  • LABORATOIRE D’ÉLECTRONIQUE ET DE TECHNOLOGIE DE L’INFORMATION (CEA LETI)
  • Décarbonation de l'industrie, Projet financé

ÉPITAXIE LOCALISÉE POUR TRANSISTOR NITRURE DE GALLIUM (GAN) VERTICAL

Le projet ÉLÉGANT vise au développement des composants de puissance verticaux en GaN (Nitrure de Gallium) sur Silicium pour l’amélioration de l’efficacité énergétique de convertisseurs de puissance sous tension élevée, notamment pour la traction électrique et les énergies renouvelables.
Pour réduire les pertes de conversion, il s’agit de développer des procédés d’épitaxie localisée de GaN (en place de la croissance planaire habituelle) afin de limiter les contraintes thermoélastiques. Et parce qu’il est fabriqué sur Silicium, ce nouveau type de composant est également moins coûteux.

EN SAVOIR +

Information importante – Usurpation du nom de notre société

Notre société a été informée que des appels téléphoniques automatisés seraient effectués par des tiers en utilisant abusivement son nom de marque.

Nous précisons que ces appels ne sont ni émis, ni commandités, ni autorisés par Capenergies. Nous n’en sommes donc pas à l’origine et déclinons toute responsabilité concernant ces démarchages.

Ces agissements constituent une utilisation frauduleuse de notre nom, réalisée sans notre accord. 

Nous invitons les personnes concernées à ne communiquer aucune information personnelle et à signaler les appels indésirables auprès des plateformes compétentes.

Nous remercions les personnes concernées de leur compréhension.